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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設(shè)計(jì)的同時(shí)顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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利用SiC模塊進(jìn)行電動壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機(jī)為動力，通過皮帶帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機(jī)，以電池為動力，通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機(jī)，從而帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動，實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機(jī)是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動壓縮機(jī)是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機(jī)需
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世！為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
關(guān)鍵字：東芝 SiC 肖特基勢壘二極管工業(yè)電源

第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
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第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)（SF）、以及刃位錯(cuò)（TED）、螺旋位錯(cuò)（TSD）、基面位錯(cuò)（BPD）和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯(cuò)的密度約為103～10?長達(dá)個(gè)/cm2。至今，與Si相
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6.6 kW車載電動汽車充電器設(shè)計(jì)

我們采用單全橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備，可以參考FAN7688的說明。有關(guān)該零件的更多詳細(xì)信息，請參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動器。
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項(xiàng)公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標(biāo)志、賽事獎牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約2.23億元，2022年開建，原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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第三代半導(dǎo)體，距離頂流差了什么

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年，這個(gè)市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測是人算不如天算，第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動力。新能源車的最大
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悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上，悉智科技取得了顯著進(jìn)展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單，并會在今年四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運(yùn)營以來，始終專注于車規(guī)級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
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電動汽車和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

圖1 半導(dǎo)體對許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場步伐，還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細(xì) ]